maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ2506-05-G
Référence fabricant | GBJ2506-05-G |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ2506-05-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ2506-05-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2506-05-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ2506-05-G-FT |
PBPC606
Diodes Incorporated
PBPC607
Diodes Incorporated
KBJ402G
Diodes Incorporated
KBJ604G
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Diodes Incorporated
KBJ610G
Diodes Incorporated
KBJ606G
Diodes Incorporated
KBJ601G
Diodes Incorporated
KBJ404G
Diodes Incorporated
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
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AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
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5SGXMA9N1F45C2N
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EP4SE530H35C3
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XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
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LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
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