maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ2504-G
Référence fabricant | GBJ2504-G |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ2504-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ2504-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2504-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ2504-G-FT |
PBPC603
Diodes Incorporated
PBPC604
Diodes Incorporated
PBPC605
Diodes Incorporated
PBPC606
Diodes Incorporated
PBPC607
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KBJ402G
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KBJ604G
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KBJ608G
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KBJ406G
Diodes Incorporated
KBJ610G
Diodes Incorporated
LCMXO3LF-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
5SGXMBBR3H43I3N
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
XC7V585T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
5SGXMA3H3F35C4N
Intel
EP2A40F1020I8
Intel