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Référence fabricant | CB2012T1R0MV |
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Numéro de pièce future | FT-CB2012T1R0MV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CB |
CB2012T1R0MV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 700mA |
Courant - Saturation | 500mA |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 195 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 100MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T1R0MV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CB2012T1R0MV-FT |
CBL2012T2R2M
Taiyo Yuden
CBL2012T470M
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CBL2012T4R7M
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CK21252R2M-T
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CKS21252R2M-T
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HK212522NJ-T
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LK2125R12K-T
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CB2012T100KRV
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LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel