maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CBL2012T470M
Référence fabricant | CBL2012T470M |
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Numéro de pièce future | FT-CBL2012T470M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CB, L Type |
CBL2012T470M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 47µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 140mA |
Courant - Saturation | 100mA |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 5.46 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 11MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBL2012T470M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBL2012T470M-FT |
LBC2016T470M
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LBC2016T680K
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel