maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CBL2012T4R7M
Référence fabricant | CBL2012T4R7M |
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Numéro de pièce future | FT-CBL2012T4R7M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CB, L Type |
CBL2012T4R7M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 490mA |
Courant - Saturation | 275mA |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 858 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 45MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBL2012T4R7M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBL2012T4R7M-FT |
LBC2016T680K
Taiyo Yuden
LBC2016T680M
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LBC2016T6R8M
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel