maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / C2M1000170J-TR
Référence fabricant | C2M1000170J-TR |
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Numéro de pièce future | FT-C2M1000170J-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | C2M™ |
C2M1000170J-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1700V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 500µA (Typ) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 20V |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 1000V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 78W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK-7 |
Paquet / caisse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C2M1000170J-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | C2M1000170J-TR-FT |
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