maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMP45H150DHE-13
Référence fabricant | DMP45H150DHE-13 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMP45H150DHE-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP45H150DHE-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 450V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 250mA (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 Ohm @ 50mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 59.2pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 13.9W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP45H150DHE-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP45H150DHE-13-FT |
DMN3008SFG-7
Diodes Incorporated
DMN3008SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN3008SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN3010LFG-13
Diodes Incorporated
DMN3010LFG-7
Diodes Incorporated
DMN3018SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN3018SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN3025LFG-7
Diodes Incorporated
DMN3027LFG-13
Diodes Incorporated
DMN3027LFG-7
Diodes Incorporated
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel