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Référence fabricant | DMP45H21DHE-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP45H21DHE-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP45H21DHE-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 450V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 600mA (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 Ohm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1003pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 12.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP45H21DHE-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP45H21DHE-13-FT |
DMN3008SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN3008SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN3010LFG-13
Diodes Incorporated
DMN3010LFG-7
Diodes Incorporated
DMN3018SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN3018SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN3025LFG-7
Diodes Incorporated
DMN3027LFG-13
Diodes Incorporated
DMN3027LFG-7
Diodes Incorporated
DMN4008LFG-13
Diodes Incorporated
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel