maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT55C3V0-GS18
Référence fabricant | BZT55C3V0-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT55C3V0-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT55C3V0-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-80 Variant |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 QuadroMELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT55C3V0-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT55C3V0-GS18-FT |
BZT55A7V5-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55A7V5-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55A8V2-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55A8V2-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55A9V1-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55A9V1-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B10-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B11-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B11-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B12-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6
Intel
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC240-3
Intel