maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT55B10-GS18
Référence fabricant | BZT55B10-GS18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZT55B10-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT55B10-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 7.5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-80 Variant |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 QuadroMELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT55B10-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT55B10-GS18-FT |
BZX584C22-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C24-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C27-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C2V4-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C2V7-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C30-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C33-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C36-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C39-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C3V0-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1K30TI144-2
Intel
XC4062XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
EP2S30F484C3N
Intel
5SGXEA7N1F40I2N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX485T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35C5N
Intel