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Référence fabricant | BZT55B12-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT55B12-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT55B12-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 9.1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-80 Variant |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 QuadroMELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT55B12-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT55B12-GS18-FT |
BZX584C2V4-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C2V7-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C30-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C33-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C36-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C39-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C3V0-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C3V3-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C3V6-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C3V9-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL010-1VFG256
Microsemi Corporation
10M02SCU169A7G
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
5SGXEA7H3F35C3
Intel
A42MX16-2PLG84I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EPF10K20RC208-4
Intel