maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C24P-HE3-08
Référence fabricant | BZD27C24P-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C24P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C24P-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 24V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 18V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C24P-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C24P-HE3-08-FT |
BZD27B82P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B82P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B91P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B91P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1TQG144I
Xilinx Inc.
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA7N3F45C2
Intel
5SGXEA7H2F35I3L
Intel
5SGXMA4K2F35C2LN
Intel
XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H1F34I1SG
Intel
5SGSMD4H3F35C2LN
Intel