maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27B8V2P-HE3-18
Référence fabricant | BZD27B8V2P-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27B8V2P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B8V2P-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 2 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B8V2P-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27B8V2P-HE3-18-FT |
BZD27B3V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B43P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6
Intel
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC240-3
Intel