maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27B82P-M3-08
Référence fabricant | BZD27B82P-M3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27B82P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B82P-M3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 82V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 62V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B82P-M3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27B82P-M3-08-FT |
BZD27B39P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B39P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B39P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B39P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.