maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27B12P-HE3-18
Référence fabricant | BZD27B12P-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27B12P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B12P-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 9.1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B12P-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27B12P-HE3-18-FT |
BZD17C13P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C150P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C150P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C15P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C160P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C160P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C16P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C16P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C180P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C180P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCKU060-3FFVA1517E
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD5K2F40C2LN
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
A40MX02-1PQG100
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3N
Intel