maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD17C16P-E3-08
Référence fabricant | BZD17C16P-E3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD17C16P-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD17C16P-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 16V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 12V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C16P-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD17C16P-E3-08-FT |
MMSZ5267C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C200P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C39P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2C35U484C6N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
EP4CE22E22C6
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
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EP3SL340H1152C4
Intel
LFE2M50SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation