maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD17C13P-E3-18
Référence fabricant | BZD17C13P-E3-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZD17C13P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD17C13P-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 13V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 10V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C13P-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD17C13P-E3-18-FT |
MMSZ5267B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C200P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
M2GL025-VF400
Microsemi Corporation
EP4CGX30BF14C8N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel