maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYG10JHE3_A/I
Référence fabricant | BYG10JHE3_A/I |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BYG10JHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10JHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10JHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG10JHE3_A/I-FT |
SBRS5641T3G
ON Semiconductor
NGTD5R65F2SWK
ON Semiconductor
CDBU40-HF
Comchip Technology
CDSU400B-HF
Comchip Technology
APD260VRTR-G1
Diodes Incorporated
CDBMHT1100-HF
Comchip Technology
LL4004G L0
Taiwan Semiconductor Corporation
SDT10A45P5-7
Diodes Incorporated
APD240VG-E1
Diodes Incorporated
NGTD13R120F2WP
ON Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel