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Référence fabricant | SDT10A45P5-7 |
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Numéro de pièce future | FT-SDT10A45P5-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SDT10A45P5-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 470mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 45V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerDI™ 5 |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI™ 5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDT10A45P5-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDT10A45P5-7-FT |
CD214B-FS3G
Bourns Inc.
CD214B-B2100R
Bourns Inc.
CD214B-B220R
Bourns Inc.
CD214B-B240R
Bourns Inc.
CD214B-B260R
Bourns Inc.
CD214B-B3100R
Bourns Inc.
CD214B-B320R
Bourns Inc.
CD214B-B360R
Bourns Inc.
CD214B-FS2D
Bourns Inc.
CD214B-FS2G
Bourns Inc.
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel