maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK9M17-30EX
Référence fabricant | BUK9M17-30EX |
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Numéro de pièce future | FT-BUK9M17-30EX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M17-30EX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 37A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 725pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 44W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK33 |
Paquet / caisse | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M17-30EX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK9M17-30EX-FT |
RDN120N25
Rohm Semiconductor
RDN120N25FU6
Rohm Semiconductor
RDN150N20FU6
Rohm Semiconductor
UPA2766T1A-E2-AY
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UPA2812T1L-E1-AT
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UPA2813T1L-E1-AT
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RJK2009DPM-00#T0
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RJK6015DPM-00#T1
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RJK6018DPM-00#T1
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ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
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5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
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APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
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