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Référence fabricant | BTS244ZE3062AATMA2 |
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Numéro de pièce future | FT-BTS244ZE3062AATMA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TEMPFET® |
BTS244ZE3062AATMA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 25V |
Caractéristique FET | Temperature Sensing Diode |
Dissipation de puissance (max) | 170W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-5-2 |
Paquet / caisse | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS244ZE3062AATMA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BTS244ZE3062AATMA2-FT |
IXTU01N100
IXYS
IXTU01N100D
IXYS
IXTU02N50D
IXYS
IXTU01N80
IXYS
IXTU05N100
IXYS
IXTU05N120
IXYS
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IXTU08N100P
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IXYS
IXTU1R4N60P
IXYS
XC6SLX45-3FG676C
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XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
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A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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5SGSED6K3F40C2N
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LFEC1E-4Q208C
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EP3C40F780C6N
Intel