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Infineon Technologies BSS670S2LH6327XTSA1

Name: BSS670S2LH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS670S2LH6327XTSA1
Price: 0.062144 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (808 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSS670S2LH6327XTSA1

quantité disponible: 10200 Pièces

Prix de référence: USD 0.062144

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSS670S2LH6327XTSA1.pdf

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BSS670S2LH6327XTSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSS670S2LH6327XTSA1
Numéro de pièce future	FT-BSS670S2LH6327XTSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSS670S2LH6327XTSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	540mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 2.7µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.26nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	75pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	360mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-23-3
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS670S2LH6327XTSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSS670S2LH6327XTSA1-FT

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