maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRLMS2002TR
Référence fabricant | IRLMS2002TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRLMS2002TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLMS2002TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1310pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Micro6™(SOT23-6) |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLMS2002TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLMS2002TR-FT |
FDG327N
ON Semiconductor
FDG316P
ON Semiconductor
FDG327NZ
ON Semiconductor
FDG315N
ON Semiconductor
SI1416EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1469DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1411DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1441EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDG312P
ON Semiconductor
SI1403BDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel