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Infineon Technologies IRLMS2002TR

Name: IRLMS2002TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLMS2002TR
Availability: InStock
Rating: 4.6 (116 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRLMS2002TR

quantité disponible: 27760 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRLMS2002TR.pdf

IRLMS2002TR Caractéristiques

Référence fabricant	IRLMS2002TR
Numéro de pièce future	FT-IRLMS2002TR
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRLMS2002TR Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1310pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	Micro6™(SOT23-6)
Paquet / caisse	SOT-23-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLMS2002TR Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRLMS2002TR-FT

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