maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSS315PH6327XTSA1
Référence fabricant | BSS315PH6327XTSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSS315PH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSS315PH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 282pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS315PH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSS315PH6327XTSA1-FT |
2SK2009TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BSS7728NH6327XTSA2
Infineon Technologies
FDN361BN
ON Semiconductor
NDS0610
ON Semiconductor
NDS356AP
ON Semiconductor
SI2314EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDN327N
ON Semiconductor
FDN339AN
ON Semiconductor
FDN302P
ON Semiconductor
SI2316DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel