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ON Semiconductor NDS356AP

Name: NDS356AP
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDS356AP
Price: 0.125216 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (494 reviews)

Numéro de pièce MFG: NDS356AP

quantité disponible: 88070 Pièces

Prix de référence: USD 0.125216

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NDS356AP.pdf

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NDS356AP Caractéristiques

Référence fabricant	NDS356AP
Numéro de pièce future	FT-NDS356AP
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NDS356AP Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.4nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SuperSOT-3
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDS356AP Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NDS356AP-FT

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