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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009TE85LF

Numéro de pièce MFG
2SK2009TE85LF
quantité disponible
55470 Pièces
Prix de référence
USD 0.15004
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
2SK2009TE85LF.pdf
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2SK2009TE85LF Caractéristiques

Référence fabricant 2SK2009TE85LF
Numéro de pièce future FT-2SK2009TE85LF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2SK2009TE85LF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 3V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SC-59-3
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK2009TE85LF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2SK2009TE85LF-FT

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