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Référence fabricant | BSS126 E6906 |
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Numéro de pièce future | FT-BSS126 E6906 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
BSS126 E6906 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 16mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 8µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS126 E6906 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSS126 E6906-FT |
SI2315BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3400A-TP
Micro Commercial Co
2N7002-T1-GE3
Vishay Siliconix
BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies
FDN308P
ON Semiconductor
FDN336P
ON Semiconductor
FDN359AN
ON Semiconductor
FDN537N
ON Semiconductor
FDN5632N-F085
ON Semiconductor
SI2304-TP
Micro Commercial Co
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel