maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSS123NH6433XTMA1
Référence fabricant | BSS123NH6433XTMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSS123NH6433XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSS123NH6433XTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 190mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 190mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 13µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 20.9pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS123NH6433XTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSS123NH6433XTMA1-FT |
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2314EDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2315BDS-T1-GE3
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SI3400A-TP
Micro Commercial Co
2N7002-T1-GE3
Vishay Siliconix
BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies
FDN308P
ON Semiconductor
FDN336P
ON Semiconductor
FDN359AN
ON Semiconductor
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation