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Infineon Technologies BSP603S2LHUMA1

Name: BSP603S2LHUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP603S2LHUMA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (171 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSP603S2LHUMA1

quantité disponible: 86150 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSP603S2LHUMA1.pdf

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BSP603S2LHUMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSP603S2LHUMA1
Numéro de pièce future	FT-BSP603S2LHUMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSP603S2LHUMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1390pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-SOT223-4
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP603S2LHUMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSP603S2LHUMA1-FT

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