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Infineon Technologies BSP299H6327XUSA1

Name: BSP299H6327XUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP299H6327XUSA1
Price: 0.533608 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (69 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSP299H6327XUSA1

quantité disponible: 94250 Pièces

Prix de référence: USD 0.533608

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: SIPMOS® MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSP299H6327XUSA1.pdf

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BSP299H6327XUSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSP299H6327XUSA1
Numéro de pièce future	FT-BSP299H6327XUSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SIPMOS®
BSP299H6327XUSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	400mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-SOT223-4
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP299H6327XUSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSP299H6327XUSA1-FT

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