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Référence fabricant | IRFHM8326TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFHM8326TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFHM8326TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 19A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2496pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM8326TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFHM8326TRPBF-FT |
BSC159N10LSFGATMA1
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