maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSP220,115
Référence fabricant | BSP220,115 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSP220,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSP220,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 225mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-73 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP220,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSP220,115-FT |
PHD18NQ10T,118
NXP USA Inc.
PHD20N06T,118
Nexperia USA Inc.
PHD21N06LT,118
NXP USA Inc.
PHD22NQ20T,118
NXP USA Inc.
PHD23NQ10T,118
NXP USA Inc.
PHD3055E,118
NXP USA Inc.
PHD34NQ10T,118
NXP USA Inc.
PHD36N03LT,118
NXP USA Inc.
PHD37N06LT,118
NXP USA Inc.
PHD38N02LT,118
Nexperia USA Inc.
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel