maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSP149 E6906
Référence fabricant | BSP149 E6906 |
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Numéro de pièce future | FT-BSP149 E6906 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
BSP149 E6906 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 660mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP149 E6906 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSP149 E6906-FT |
IPU04N03LA
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IPU04N03LB G
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IPU050N03L G
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IPU09N03LA G
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XC4005E-1PQ100C
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XC6SLX100-L1CSG484I
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A3PN060-1VQ100I
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EP4S100G5F45I3
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A40MX02-PLG44
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XC7A25T-2CPG238C
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