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Référence fabricant | IPU090N03L G |
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Numéro de pièce future | FT-IPU090N03L G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPU090N03L G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 42W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU090N03L G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPU090N03L G-FT |
BSZ180P03NS3GATMA1
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BSZ240N12NS3GATMA1
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XC7A100T-2FTG256I
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10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
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XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
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LFXP2-5E-6MN132I
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10AX066N4F40I3LG
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EP1AGX35DF780C6
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EP1S40F1020C5N
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