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Référence fabricant | BSZ900N20NS3GATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSZ900N20NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSZ900N20NS3GATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15.2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 7.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 62.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ900N20NS3GATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSZ900N20NS3GATMA1-FT |
BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0503NSIATMA1
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XC4005E-1PQ100C
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XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
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10AX048K2F35E2LG
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EP4S100G5F45I3
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A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel