maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPU04N03LA
Référence fabricant | IPU04N03LA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPU04N03LA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPU04N03LA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5199pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 115W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | P-TO251-3-1 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU04N03LA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPU04N03LA-FT |
BSZ120P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ120P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ130N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ160N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ180P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ240N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel