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Rohm Semiconductor BSM600C12P3G201

Numéro de pièce MFG
BSM600C12P3G201
quantité disponible
74050 Pièces
Prix de référence
USD 896
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSM600C12P3G201.pdf
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BSM600C12P3G201 Caractéristiques

Référence fabricant BSM600C12P3G201
Numéro de pièce future FT-BSM600C12P3G201
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
BSM600C12P3G201 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 600A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 182mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) +22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2460W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur Module
Paquet / caisse Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM600C12P3G201 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSM600C12P3G201-FT

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