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Microsemi Corporation APTM10DAM02G

Name: APTM10DAM02G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM10DAM02G
Price: 89.95888 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (658 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTM10DAM02G

quantité disponible: 90100 Pièces

Prix de référence: USD 89.95888

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTM10DAM02G.pdf

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APTM10DAM02G Caractéristiques

Référence fabricant	APTM10DAM02G
Numéro de pièce future	FT-APTM10DAM02G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APTM10DAM02G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	495A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 10mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1360nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	40000pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1250W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur	SP6
Paquet / caisse	SP6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM10DAM02G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTM10DAM02G-FT

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