maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APTM100UM60FAG
Référence fabricant | APTM100UM60FAG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APTM100UM60FAG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTM100UM60FAG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 129A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 64.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 15mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1116nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 31100pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2272W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SP6 |
Paquet / caisse | SP6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM100UM60FAG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTM100UM60FAG-FT |
FDP038AN06A0-F102
ON Semiconductor
TSM80N1R2CL C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM70N600ACL X0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FCP9N60N-F102
ON Semiconductor
SQM200N04-1M1L_GE3
Vishay Siliconix
SQM200N04-1M7L_GE3
Vishay Siliconix
SQM40081EL_GE3
Vishay Siliconix
STP45N60DM6
STMicroelectronics
STW45N60DM6
STMicroelectronics
BSC010N04LSCATMA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel