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ON Semiconductor FDP038AN06A0-F102

Name: FDP038AN06A0-F102
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP038AN06A0-F102
Price: 1.994648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (730 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDP038AN06A0-F102

quantité disponible: 31740 Pièces

Prix de référence: USD 1.994648

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDP038AN06A0-F102.pdf

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FDP038AN06A0-F102 Caractéristiques

Référence fabricant	FDP038AN06A0-F102
Numéro de pièce future	FT-FDP038AN06A0-F102
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
FDP038AN06A0-F102 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	124nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6400pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	310W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP038AN06A0-F102 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDP038AN06A0-F102-FT

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