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Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1

Name: BSG0810NDIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSG0810NDIATMA1
Price: 0.896896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (804 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSG0810NDIATMA1

quantité disponible: 84680 Pièces

Prix de référence: USD 0.896896

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSG0810NDIATMA1.pdf

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BSG0810NDIATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSG0810NDIATMA1
Numéro de pièce future	FT-BSG0810NDIATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSG0810NDIATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss)	25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 12V
Puissance - Max	2.5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur	PG-TISON-8
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSG0810NDIATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSG0810NDIATMA1-FT

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