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Référence fabricant | BR24C08-MN6TP |
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Numéro de pièce future | FT-BR24C08-MN6TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR24C08-MN6TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 8Kb (1K x 8) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24C08-MN6TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR24C08-MN6TP-FT |
GD25WD10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CTIGR
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SST25VF040B-50-4C-S2AF-T
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SST25VF040B-50-4I-S2AF-T
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XC2S30-5VQ100C
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EP4CE15E22I8L
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LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation