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Référence fabricant | SST25VF040B-50-4I-S2AF-T |
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Numéro de pièce future | FT-SST25VF040B-50-4I-S2AF-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SST25 |
SST25VF040B-50-4I-S2AF-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | 50MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10µs |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SST25VF040B-50-4I-S2AF-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SST25VF040B-50-4I-S2AF-T-FT |
GD25Q16CTEGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel