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Référence fabricant | GD25WD80CTIGR |
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Numéro de pièce future | FT-GD25WD80CTIGR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GD25WD80CTIGR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25WD80CTIGR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GD25WD80CTIGR-FT |
GD25Q16CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTEGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel