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Référence fabricant | BLP27M810Z |
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Numéro de pièce future | FT-BLP27M810Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BLP27M810Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS (Dual), Common Source |
La fréquence | 2.14GHz |
Gain | 17dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 110mA |
Puissance - sortie | 2W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | 16-VDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 16-HVSON (6x4) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP27M810Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BLP27M810Z-FT |
PTFB211501FV1R250XTMA1
Infineon Technologies
A2I08H040GNR1
NXP USA Inc.
A2I20H060GNR1
NXP USA Inc.
A2I08H040NR1
NXP USA Inc.
A2I20H060NR1
NXP USA Inc.
A2I25D025NR1
NXP USA Inc.
A2I25H060NR1
NXP USA Inc.
AFIC31025NR1
NXP USA Inc.
AFV121KGSR5
NXP USA Inc.
AFV141KGSR5
NXP USA Inc.
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC6SLX45T-2CSG484I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5N2F40C1N
Intel
5SGXEBBR2H43I2L
Intel
5SGXMA9K3H40I3LN
Intel
XC7VX690T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-640E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation