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A2I08H040GNR1 Image

NXP USA Inc. A2I08H040GNR1

Numéro de pièce MFG
A2I08H040GNR1
quantité disponible
26710 Pièces
Prix de référence
USD 28.92608
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- IC RF LDMOS AMP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
A2I08H040GNR1.pdf
A2I08H040GNR1 Image

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A2I08H040GNR1 Caractéristiques

Référence fabricant A2I08H040GNR1
Numéro de pièce future FT-A2I08H040GNR1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
A2I08H040GNR1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 920MHz
Gain 30.7dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Courant - Test 25mA
Puissance - sortie 9W
Tension - nominale 65V
Paquet / caisse TO-270-15 Variant, Gull Wing
Package d'appareils du fournisseur TO-270WBG-15
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2I08H040GNR1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange A2I08H040GNR1-FT

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