maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / A2I20H060GNR1
Référence fabricant | A2I20H060GNR1 |
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Numéro de pièce future | FT-A2I20H060GNR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
A2I20H060GNR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS (Dual) |
La fréquence | 1.84GHz |
Gain | 28.9dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 24mA |
Puissance - sortie | 12W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | TO-270-14 Variant, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | TO-270WBG-15 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A2I20H060GNR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A2I20H060GNR1-FT |
PTFA181001EV4XWSA1
Infineon Technologies
PTFA181001GL V1
Infineon Technologies
PTFA181001GL V1 R250
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PTFA190451EV4R250XTMA1
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PTFA191001EV4XWSA1
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PTFA192001E1V4XWSA1
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PTFA192001EV4R250XTMA1
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PTFA192001EV4XWSA1
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XCKU040-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
AX250-1FG256
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-3
Intel
EP3CLS100F484I7
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
LFE3-95E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C6N
Intel