maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BFN19H6327XTSA1
Référence fabricant | BFN19H6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BFN19H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BFN19H6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 10V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT89 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFN19H6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFN19H6327XTSA1-FT |
BD543B-S
Bourns Inc.
BD543C-S
Bourns Inc.
BD544-S
Bourns Inc.
BD544A-S
Bourns Inc.
BD544C-S
Bourns Inc.
BD645-S
Bourns Inc.
BD646-S
Bourns Inc.
BD647-S
Bourns Inc.
BD649-S
Bourns Inc.
BD650-S
Bourns Inc.
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel