maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BD646-S
Référence fabricant | BD646-S |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BD646-S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BD646-S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 50mA, 5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD646-S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BD646-S-FT |
BC847C/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC847C/DG/B3,235
Nexperia USA Inc.
BC847CW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC847CW/MIF
Nexperia USA Inc.
BC847CW/MIX
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,235
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B3X
Nexperia USA Inc.
BC856W/ZLX
NXP USA Inc.
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP1SGX25DF672I6
Intel
EP1S20F484I6N
Intel
10AX032E3F27I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEABN2F45C3N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel