maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BC856BW/DG/B2,115
Référence fabricant | BC856BW/DG/B2,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BC856BW/DG/B2,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BC856BW/DG/B2,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Puissance - Max | 200mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856BW/DG/B2,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC856BW/DG/B2,115-FT |
2SC3665-Y(T2NSW,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3665-Y,T2F(J
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2SC3665-Y,T2NSF(J
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2SC3668-Y,T2F(J
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2SC3668-Y,T2F(M
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2SC3668-Y,T2WNLF(J
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2SC3669-Y(T2OMI,FM
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LFE3-70EA-7LFN1156C
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10AX057H2F34E1SG
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